超高真空分子束沉积系统
技术指标：
该系统由准备室和主室两个真空室组成，主室本底真空为210-10mbar。系统配备变温样品架(25-600 °C)；石英晶振片膜厚仪用于生长的膜厚的测量；一个三头有机分子低温蒸发源、四个用于金属沉积使用的高温蒸发源(600-2000 °C)、一个碱金属蒸发源。
仪器功能：
用于有机分子和金属等高纯材料薄膜的超高真空制备；一套原位掩膜更换装置，用于原型器件的原位制备；配备高精度微漏阀，可用于氧气、水等气体到真空的泄露，用于材料的(表面)改性。
放置地点：交叉科研楼南楼319室 仪器管理员：曹亮
邮箱：lcao@hmfl.ac.cn 联系电话：137 2105 3632