超高真空分子束沉积系统


技术指标:

该系统由准备室和主室两个真空室组成,主室本底真空为210-10mbar。系统配备变温样品架(25-600 °C);石英晶振片膜厚仪用于生长的膜厚的测量;一个三头有机分子低温蒸发源、四个用于金属沉积使用的高温蒸发源(600-2000 °C)、一个碱金属蒸发源。


仪器功能:

用于有机分子和金属等高纯材料薄膜的超高真空制备;一套原位掩膜更换装置,用于原型器件的原位制备;配备高精度微漏阀,可用于氧气、水等气体到真空的泄露,用于材料的(表面)改性。


放置地点:交叉科研楼南楼319室

仪器管理员:曹亮       联系电话:137 2105 3632      邮箱:lcao@hmfl.ac.cn