脉冲激光沉积系统02

仪器功能：

      可生长质量优异的单晶外延薄膜、压电薄膜、铁电薄膜、热电薄膜、金属和化合物薄膜电极、半导体薄膜等；同时可精确控制外延生长薄膜的厚度，范围几纳米~八百纳米左右；极限真空度<6.67×10-6Pa；生长温度最高可达800°C；准分子激光器波长为248nm。

放置地点：交叉科研楼楼南楼330室             仪器管理员：陈峰

邮箱：fchen@hmfl.ac.cn                              联系电话：133 3919 4890